Всего около двух лет прошло с того момента, как сотрудники компании HP на практике доказали существование четвертого основного элемента электрических схем – мемристора. Но этого небольшого срока оказалось достаточно для того, чтобы разработка мемристора вышла из стадии лабораторных исследований, и стартовал процесс создания интегральных микросхем с применением нового элемента. Речь пойдет об интегральных микросхемах низковольтной энергонезависимой памяти Resistive Random Access Memory (ReRAM), разрабатываемой сотрудниками HP и Hynix. По их мнению, новинка может в будущем заменить современную оперативную память и даже составить конкуренцию микросхемам флеш-памяти.
По мнению руководителей подразделения HP Labs этот пример показывает, что компания готова в кратчайшие сроки разрабатывать продукты нового поколения, основанные на недавних изобретениях и открытиях. К сожалению, пока ни со стороны HP, ни со стороны Hynix не поступали дополнительные сведения относительно сроков появления интегральных микросхем на основе мемристоров. Впрочем, надеяться, что они появятся на рынке в самом ближайшем будущем не стоит – освоение новой технологии может занять не один год. Но уже сейчас понятно, что разработчики ставят перед собой цель создать новый тип памяти, который смог бы конкурировать с привычными нынче микрочипами оперативной и флеш-памяти.
По мнению руководителей подразделения HP Labs этот пример показывает, что компания готова в кратчайшие сроки разрабатывать продукты нового поколения, основанные на недавних изобретениях и открытиях. К сожалению, пока ни со стороны HP, ни со стороны Hynix не поступали дополнительные сведения относительно сроков появления интегральных микросхем на основе мемристоров. Впрочем, надеяться, что они появятся на рынке в самом ближайшем будущем не стоит – освоение новой технологии может занять не один год. Но уже сейчас понятно, что разработчики ставят перед собой цель создать новый тип памяти, который смог бы конкурировать с привычными нынче микрочипами оперативной и флеш-памяти.
