Отложив строительство нового завода по выпуску интегральных микросхем флеш-памяти с применением 2х-нм техпроцесса более чем на год компания Toshiba все-таки возобновляет проект. Первоначальным планам было не суждено сбыться из-за разразившегося финансового и экономического кризиса. Фабрика Toshiba Fab 5 будет расположена в префектуре Mie, Япония, а завершить строительство планируется к весне 2011 года.
Дополнительные производственные мощности нужны компании Toshiba для увеличения объемов выпуска интегральных NAND-микросхем. Особенно это важно в свете растущего спроса на флеш-память – микрочипы применяются в современных смартфонах, планшетных персональных компьютерах, твердотельных накопителях. После завершения строительства Toshiba получит в свое распоряжение в общей сложности 38 тысяч квадратных метров производственных площадей. Установленное здесь технологическое оборудования позволит изготовлять интегральные микросхемы по 20-нм техпроцессу.
Японская компания Toshiba может заключить совместное соглашение с компанией SanDisk, которая поучаствует в строительстве фабрики, а после ее ввода в строй получит возможность пользоваться запущенными производственными мощностями.
Дополнительные производственные мощности нужны компании Toshiba для увеличения объемов выпуска интегральных NAND-микросхем. Особенно это важно в свете растущего спроса на флеш-память – микрочипы применяются в современных смартфонах, планшетных персональных компьютерах, твердотельных накопителях. После завершения строительства Toshiba получит в свое распоряжение в общей сложности 38 тысяч квадратных метров производственных площадей. Установленное здесь технологическое оборудования позволит изготовлять интегральные микросхемы по 20-нм техпроцессу.
Японская компания Toshiba может заключить совместное соглашение с компанией SanDisk, которая поучаствует в строительстве фабрики, а после ее ввода в строй получит возможность пользоваться запущенными производственными мощностями.
